-
1 ток основных носителей
Большой англо-русский и русско-английский словарь > ток основных носителей
-
2 эмиттер основных носителей
Большой англо-русский и русско-английский словарь > эмиттер основных носителей
-
3 ток основных носителей
Англо-русский словарь технических терминов > ток основных носителей
-
4 полевой транзистор
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистораАнгло-русский словарь по нанотехнологиям > полевой транзистор
-
5 FET
(Field Effect Transistor)Полевой транзистор (ПТ)Полупроводниковый прибор, в котором ток основных носителей, протекающих через канал, управляется электрическим полем. Основа такого транзистора - созданный в полупроводнике и снабжённый двумя выводами (исток и сток) канал с электропроводностью n - или p - типа. Сопротивлением канала управляет третий электрод - затвор, соединённый с его средней частью p - n переходом. В связи с тем, что управление током в выходной цепи осуществляется входным напряжением (аналогично электровакуумным приборам) и входные токи ПТ чрезвычайно малы, параметры и характеристики полевых транзисторов существенно отличаются от характеристик биполярных транзисторов. ПТ обладают рядом преимуществ по сравнению с биполярными: высокое входное сопротивление по постоянному току и на высокой частоте, отсюда и малые потери на управление; высокое быстродействие (благодаря отсутствию накопления и рассасывания неосновных носителей); почти полная электрическая развязка входных и выходных цепей, малая проходная ёмкость (т.к. усилительные свойства ПТ обусловлены переносом основных носителей заряда, верхняя граница эффективного усиления мощных ПТ выше, чем у биполярных, и применение ключевых усилителей на ПТ при тех же напряжениях питания возможно на частотах около 400 мГц, в то время как на биполярных транзисторах разработка ключевых генераторов частотой выше 100 мГц является весьма сложной задачей); квадратичность вольтамперной характеристики (аналогична триоду); высокая температурная стабильность; малый уровень шумов.Устройство полевого транзистора -
6 majority electron density
1) Техника: концентрация основных носителей2) Электротехника: концентрация основных носителей (электронов)Универсальный англо-русский словарь > majority electron density
-
7 náboj majoritních nosičů
-
8 majority electron density
концентрация основных носителей (электронов)
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > majority electron density
-
9 majority-carrier conduction
электропроводность за счет основных носителей
—
[Я.Н.Лугинский, М.С.Фези-Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо-русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.]Тематики
- электротехника, основные понятия
EN
Англо-русский словарь нормативно-технической терминологии > majority-carrier conduction
-
10 majority current
1) Техника: ток основных носителей2) Микроэлектроника: ток неосновных носителей -
11 majority current
Большой англо-русский и русско-английский словарь > majority current
-
12 majority emitter
Большой англо-русский и русско-английский словарь > majority emitter
-
13 majority-carrier current
Большой англо-русский и русско-английский словарь > majority-carrier current
-
14 majority-carrier lifetime
время жизни основных носителейБольшой англо-русский и русско-английский словарь > majority-carrier lifetime
-
15 majority(-carrier) current
Англо-русский словарь технических терминов > majority(-carrier) current
-
16 majority(-carrier) current
Англо-русский словарь технических терминов > majority(-carrier) current
-
17 majority-carrier lifetime
Англо-русский словарь технических терминов > majority-carrier lifetime
-
18 majority emitter
-
19 carrier primary flow
Электроника: поток основных носителей заряда -
20 majority carrier admittance
Космонавтика: полная проводимость за счёт основных носителейУниверсальный англо-русский словарь > majority carrier admittance
См. также в других словарях:
ток основных носителей — pagrindinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. majority charge carrier current; majority carrier current vok. Majoritätsträgerstrom, m rus. ток основных носителей, m; ток основных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
ток основных носителей заряда — pagrindinių krūvininkų srovė statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. majority charge carrier current; majority carrier current vok. Majoritätsträgerstrom, m rus. ток основных носителей, m; ток основных носителей заряда, m pranc.… … Radioelektronikos terminų žodynas
концентрация основных носителей (электронов) — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN majority electron density … Справочник технического переводчика
электропроводность за счет основных носителей — — [Я.Н.Лугинский, М.С.Фези Жилинская, Ю.С.Кабиров. Англо русский словарь по электротехнике и электроэнергетике, Москва, 1999 г.] Тематики электротехника, основные понятия EN majority carrier conduction … Справочник технического переводчика
ГОСТ 22622-77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров — Терминология ГОСТ 22622 77: Материалы полупроводниковые. Термины и определения основных электрофизических параметров оригинал документа: 11. Акцептор Дефект решетки, способный при возбуждении захватывать электрон из валентной зоны Определения… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
ИНЖЕКЦИЯ носителей — (от лат. injectio вбрасывание), проникновение неравновесных (избыточных) носителей заряда в полупроводник или диэлектрик под действием электрич. поля. Источником избыточных носителей служит контактирующий ПП или металл (см. ЭЛЕКТРОННО ДЫРОЧНЫЙ… … Физическая энциклопедия
Р-7 (семейство ракет-носителей) — У этого термина существуют и другие значения, см. Р7. Ракета носитель Союз ФГ при запуске космического корабля Союз ТМА 5 Р 7 (разг. «семёрка») семейство … Википедия
ГОСТ Р 52002-2003: Электротехника. Термины и определения основных понятий — Терминология ГОСТ Р 52002 2003: Электротехника. Термины и определения основных понятий оригинал документа: 128 (идеальный электрический) ключ Элемент электрической цепи, электрическое сопротивление которого принимает нулевое либо бесконечно… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника — 28. Избыточная концентрация носителей заряда полупроводника Избыточная концентрация Избыток концентрации неравновесных носителей заряда в полупроводнике над концентрацией равновесных носителей заряда Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника — 38. Скорость поверхностной рекомбинации носителей заряда полупроводника Скорость поверхностной рекомбинации Отношение плотности потока носителей заряда, рекомбинировавших на поверхности полупроводника, к концентрации избыточных носителей заряда у … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации
Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника — 50. Биполярная световая генерация носителей заряда полупроводника Биполярная световая генерация Возникновение в полупроводнике в результате оптического возбуждения равного числа носителей зарядов обоих знаков Источник: ГОСТ 22622 77: Материалы… … Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации